Systek SAP デスミア/無電解銅めっき前処理

SAP工法向けに最適なデスミア/無電解銅めっき前処理です。

【特長】

低粗化面への高密着性
ガラスフィラー上へのめっき付きまわり性が良好
バッチ処理、水平処理両方に対応が可能

材料 *味の素ビルドアップフィルム ABF
品種 GX92 GL102
デスミア 処理前 処理後 処理前 処理後
×1500
×3500
Ra(μm) 0.02 0.43 0.03 0.19

*味の素ファインテクノ様 ご提供
**ビアサイズ 50μmφ×40μmd

Systek SAP 無電解銅めっき

Systek Copper 850は酒石酸をベースとした低応力の無電解銅めっきです。

【特長】

ビア内へのめっき付きまわり性が良好
ビア底部とめっき層の界面で、優れた接続信頼性
低応力の銅皮膜のためブリスターを抑制
低温処理(25℃-38℃)で使用可能
バッチ処理、水平処理両方に対応が可能

ビア底部へのめっき付きまわり性

ビアサイズ 50μmφ×30μmd

ビア底部とめっき層の界面 無電解銅めっき皮膜の内部応力

Circuetch 300

Circuetch 300は、硫酸/過酸化水素系のエッチングプロセスです。SAP工法及びM-SAP工法における銅シード層エッチングとして微細配線形状に最適です。

【特長】

アンダーカットの少ない良好な配線形状が可能
配線幅の減少を最小限に抑制
Cu配線表面の平滑性維持

エッチング前 エッチング後
めっき厚み：15μm めっき厚み：15μm
L/S： 12/8μm L/S： 10/10μm

Systek ETS

*ETS向けの直流硫酸銅めっき用添加剤です。

* Embedded Trace Substrateの略称

【特長】

パターンの幅や疎密によって生じる膜厚差が少ない R 値
アスペクト比6：1の基板に対して、2A/dm2で、高いスローイングパワーが可能
浴中の添加剤濃度は、CVSで分析管理が可能

パターンめっきの例　（Systek ETS 1200）

L/S 5/5μm
表面めっき厚　20μm
めっき厚バラつき ＜2μm
電流密度 2A/dm2

スルーホールめっきの例　（Systek ETS 1200）

パターン密度 粗 パターン密度　密
スルーホールサイズ t0.9mm、0.15mmΦ
表面めっき厚 31.6μm
電流密度 2A/dm2
スローイングパワー　110%		 スルーホールサイズ t0.9mm、0.15mmΦ
表面めっき厚 30.0μm
電流密度 2A/dm2
スローイングパワー　98%

Systek UVF

SAP、COF等 微細パターンビアフィリング向け硫酸銅めっき用添加剤です。

【特長】

パターンの幅や疎密によって生じる膜厚差が少ない R 値
良好なビアフィリングが可能
不溶解性アノードで対応
浴中の添加剤濃度は、CVSで分析管理が可能

パターンめっきの例　（Systek UVF 100）

ライン幅　23.1μm、ラインめっき膜厚　17.3μm
パッド幅　57.0μm、パッドめっき膜厚　17.7μm
めっき膜厚バラつき　0.4μm
電流密度 2A/dm2

ビアフィリングの例　（Systek UVF 100）

ビアサイズ 105μmφ×82μmd
表面めっき厚 14.6μm
ディンプル　3.9μm
電流密度 2A/dm2		 ビアサイズ 88μmφ×34μmd
表面めっき厚 19.5μm
オーバーフィル　2.2μm
電流密度 2A/dm2

Macuspec THF

スルーホールフィリング向けの硫酸銅めっき用添加剤です。

【特長】

スルーホールフィリングが求められるコア層のめっきに対応
フィリング性に優れ、大口径のビアフィリングとしても使用可能
不溶解性アノードで対応
浴中の添加剤濃度は、CVSで分析管理が可能

スルーホールフィリングの例　（MacuSpec THF 100）

サイズ　t0.25mm、0.10mmΦ
表面めっき厚　25μm
ディンプル　0μm
電流密度 2A/dm2

ビアフィリングの例　（MacuSpec THF 100）

サイズ　100μmφ×100μmd
表面めっき厚　20μm
ディンプル　＜5μm
電流密度 2A/dm2		 サイズ　125μmφ×100μmd
表面めっき厚　20μm
ディンプル　＜5μm
電流密度 2A/dm2